英特尔三星东芝联手开发10纳米芯片工艺
作者： 新浪科技
责任编辑： 阚智
来源： 新浪科技
时间： 2010-10-29 09:23
关键字： 英特尔三星东芝联手开发10纳米芯片工艺
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新浪科技讯 北京时间10月29日早间消息，据国外媒体报道，英特尔、东芝和三星电子将联手开发新技术，在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。
据《日经新闻》报道，全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的芯片厂商英特尔结成合作伙伴，并邀请大约10家半导体材料及其他领域的企业加入这一联合体。
据称，日本经济产业省有可能提供大约50亿日元(约合6121万美元)作为研发启动资金。参与此项目的各家企业将再提供50亿日元。
东芝和三星电子计划利用新技术制造10纳米级别的NAND闪存及其他芯片，英特尔则希望用它开发更快的微处理器。(彦飞)
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