IBM研发新型半导体材料 将催生新型闪存芯片
作者: 焦琳
责任编辑: 阚智
来源: 中小企业IT采购
时间: 2006-12-12 11:00
关键字: IBM,半导体,闪存
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当地时间本周一,IBM、Qimonda 和Macronix表示,其研发人员已经研究出一种新型的半导体材料,这将有可能催生一种新型的闪存芯片。
IBM表示,与其它厂商的产品相比,这种新型的半导体合金在性能上有着更大的优势,如果成本能降下来,那全球的闪存市场又将增加一个强有力的竞争对手。
据了解,用这种新型材料所制作的开关仅仅有3纳米高20纳米宽,这对闪存芯片厂商进一步缩小芯片体积作出了积极的举措。另外,该材料所制成的开关其速度比目前的闪存速度快500倍。
IBM表示,与其它厂商的产品相比,这种新型的半导体合金在性能上有着更大的优势,如果成本能降下来,那全球的闪存市场又将增加一个强有力的竞争对手。
据了解,用这种新型材料所制作的开关仅仅有3纳米高20纳米宽,这对闪存芯片厂商进一步缩小芯片体积作出了积极的举措。另外,该材料所制成的开关其速度比目前的闪存速度快500倍。
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