高功率用电设备

　　就符合 IEEE 802.3af 标准的 PD 而言，所采用的最大 DC 电流为 350mA，限流为 450mA。为了从 PSE 获得更高的功率，我们可用热插拔控制器实施标准以外的高功率 PD。我们可采用 TPS2490 实施此类解决方案。工作电流与限流都由电流感应电阻器和所选的外部MOSFET 进行外部设置。感应电阻器RS设置最大DC限流，且应用应选择外部MOSFET。此外，通过选择电阻分压器 RPROG1 和 RPROG2 来对功率限制特性进行编程，TPS2490 还可用于保护外部MOSFET。正如我们所指出的那样，就其从线缆所获得的功率量以及被检测为有效 PD 的情况来看，该解决方案是超出标准之外的。

　　为了实现符合IEEE 802.3af标准的打开和关闭输入阈值电压，我们还要添加额外的电路。该电路还可用于编程打开和关闭阈值，通过调节 RUV1、RUV2 以及 RUV3 的电阻值来达到所需范围。RUV1 和 RUV2 间的分压决定了打开上升阈值电压，而 RUV1||RUV3 与 RUV2 间的分压则决定了输入的关闭阈值电压。

　　两个 PD 而言，FET 应为一个 N 通道 MOSFET，带有 100V 的漏极额定电压。它还应具备 20V 的闸极额定电压以及 2A 或更高的漏极额定电流。为了通过 PD 前级 (front stage) 获得更高功率，应选择 RS 的电阻值，这样限流就比最大负载电流高出约 20%。举例来说，如 PD 最大负载（DC/DC 转换器）为 22W（或最小输入电压 44V 上的最大等效负载电流为0.5A），则限流可设为 0.6A，这就需要把 RS 设为约 83mW。

　　这些解决方案都带有高侧开关。众多应用并不关心使用高侧还是低侧开关，但有些PD 却更希望使用低侧开关。为了配置低侧开关 PD，需要一个低侧 MOSFET 驱动器。TPS2399 是一个额定为 100V 的电流斜波热插拔控制器，其正好适用于超出标准以外的低侧开关 PD 控制器。

　　这种设计与前文几乎相同，但可采用不同的控制器来处理低侧开关。由于 TPS2399 控制器有着不同的限流感应阈值，因此感应电阻必须不同，这才能达到与相同的限流。遵循前面的例子，限流应设为 0.6A。

　　RDET、RUV1 以及 RUV2 的等效输入电阻约 25kW，则以上所有三个解决方案都应将 PD 设置为 0 类，这就可实现从各自的 PSE 获得最大功率。

高功率电源设备

　　根据设计，即便是 PD 可用于获得更高功率，其也有可能无法得到所需功率，因为符合 IEEE 802.3af 标准的 PSE 也有功率限制。采用TPS2383而又符合标准的 PSE 所允许的线缆最大持续电流仅为 0.35A（或功率为 15.4W，限流为 0.4A），因为电流感应电阻为 0.5W（与 IRFD110 串联）。允许从源极获得更高功率的简单方法就是降低感应电阻值，这样限流就会变高。举例说来，如果要求从 PSE 获得 19.25W 的功率（而不是从符合标准的 PSE 获得15.4W），则只需将感应电阻器的电阻值降低至 0.4W，这就可向 PSE 输出上的 RJ-45 连接器提供0.4375A的持续DC电流（限流 0.5A）。

　　以上解决方案符合除额定功率 （或额定电流）以外的所有 PoE 标准。当然，如果 IEEE 802.3af兼容性对应用不重要，那么我们也可将其他通用热插拔控制器用于 PSE。