英特尔研发出最新的三门技术 将减少能量流失
作者: 焦琳
责任编辑: 阚智
来源: 中小企业IT采购
时间: 2006-06-13 10:50
关键字: 英特尔,芯片
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根6月13日消息 英特尔公司目前已经研发出了最新的"三门"芯片技术,将把芯片的能量流失减少到50%以上。目前该项技术已经成功的通过了多次试验。
英特尔计划将这项最新的技术与Strained Silicon以及K门技术想结合,因此门电路将把芯片上的电子进行有效的管理,从而将达到减少能量流失的目的。同时,此项技术还将把晶体管的速度提高一半左右。但由于“三门”技术的研发成功将解决目前业界的诸多问题,意义重大,因此英特尔方面对此将不会批露更多的细节。
但对于用户来说,要体验该项技术只要还需等待3-5年的时间,因为英特尔方面表示,要到2009年以后才将该技术用于芯片上。
英特尔计划将这项最新的技术与Strained Silicon以及K门技术想结合,因此门电路将把芯片上的电子进行有效的管理,从而将达到减少能量流失的目的。同时,此项技术还将把晶体管的速度提高一半左右。但由于“三门”技术的研发成功将解决目前业界的诸多问题,意义重大,因此英特尔方面对此将不会批露更多的细节。
但对于用户来说,要体验该项技术只要还需等待3-5年的时间,因为英特尔方面表示,要到2009年以后才将该技术用于芯片上。
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