英特尔宣布，该公司成功把Tri-gate立体晶体管技术加入量产过程中，将有助提升产品的能耗表现，并预计采用于未来45纳米工艺实现。英特尔表示，Tri-gate立体晶体管技术可进一步减少漏电及减少功耗需求，把Tri-gate立体电晶对比体现今的平面晶体管芯片设计，其开关切换速度可提升约45%或减少约50次Off-Current的情况，同时减少35%晶体管切换所需功耗，意味着未来英特尔45纳米产品无论效能和功耗表现均会进一步提升。

     英特尔表示，公司未来产品将包括以上三项技术，Tri-gate晶体管、High-K物料及Strained Silicon技术，将令英特尔保持Moore's定律继续生效。 英特尔将会于2007年下半年正式量产45纳米技术，并不断提高纳米工艺技术，从32纳米提升至22纳米，预期未来10 年内摩尔定律仍保持有效。

什么是摩尔定律：

摩尔定律是指一个尺寸相同的芯片上，所容纳的晶体管数量，因制程技术的提升，每18-24个月会加倍。其意义在于，芯片制程技术是以一直线的方式向前推展，使得芯片产品能持续降低成本，提升性能或增加功能。