9月13日综合消息，韩国三星电子宣布，该公司已经研发出新的NAND闪存芯片基础架构，把NAND闪存的理论存储容量提升了一倍达到32G。

  由新型芯片组合而成的数据存储卡最大容量可达64G，而目前市场的主流存储卡容量为1G、2G或4G。三星的成果也继续挑战硬盘，此前业界呼吁闪存取代传统的硬盘，因为闪存在能耗、存储速度和体积方面远远优于硬盘，缺点在于容量无法达到硬盘的指标，硬盘最大已经750G。32G闪存的出现，32G完全可以在笔记本电脑中使用。目前，NAND闪存芯片广泛应用于数码存储卡、数码相机、数码音乐播放器和其他设备中。

  三星电子还对半导体业务表示了乐观，预计芯片部门第三季度的收入将创历史新高。近几周来DRAM内存芯片市场价格不断上浮。三星电子目前只能满足70%的DRAM内存芯片订单，供不应求的情况可能持续到下半年甚至2007年。

  闪存芯片容量扩充至32G也是一个重要的里程碑，这意味着三星电子首次脱离了上世纪70年代初期英特尔为记忆体芯片设计的基础框架。为了达到增加存储量的目标，设计师在芯片上增添了越来越多的电路，并缩短了电路之间的间距。紧凑的设计有时导致电子发生移位现象，从而造成电路中断并引发故障。三星电子现在是用绝缘材料来控制电子移位现象的发生。三星电子准备在2008年年初开始量产32G闪存芯片。16G闪存芯片将于2007年初面市。